4月已过,中芯国际7nm,新一代国产光刻机怎么样了?

4月已过又怎么了?4年已过,中芯国际7纳米工艺(N+1或N+2)也与中国国产光刻机无关!

首先,2021年底,中国微电子将推出的光刻机工程样机只是可以生产28纳米制程芯片的光刻机,并且也仅仅是工程样机,到最后的量产还需要一段时间。而且,理论上,这种使用193纳米浸入式ArF光源的DUV光刻机一次曝光可以生产的最小极限尺寸就是28纳米。如果要生产7纳米芯片,就必须要通过极特殊的工艺,也就是“四重曝光”的方式才能得到7纳米芯片。此种方法的代价极高,高到三星和Intel都放弃掉了,苦等EUV光刻机来生产7纳米芯片。只有台积电不信邪,花费了巨大的血本来研究,终于掌握了这种成本极高的生产工艺。也就是说,到目前为止,可以用DUV光刻机量产7纳米芯片的,全球就只有台积电一家。这里只是想说,不是拥有了可以生产28纳米制程的国产光刻机就可以生产出7纳米芯片了。这只不过是拥有了炒菜的锅,是不是能做出对口味的菜来,还要看大厨的手艺!

其次就是中芯国际的7纳米制程,也就是常说的N+1/N+2工艺了。目前的情况是,2021年4月开始,N+1工艺进入到风险量产阶段,但距离正式量产的距离还不知道是多远。另外,中芯国际的28纳米/14纳米/N+1工艺,都需要ASML出品的NXT 1980i光刻机来生产和测试。但由于众所周知的原因,中芯国际手头上拥有的这个型号的光刻机数量极其有限,且基本上没有办法再增加了。所以,中芯国际在将来即便是N+1工艺稳定下来,进入到量产阶段,也只能是停用28纳米/14纳米工艺,才有空闲下来的光刻机来生产N+1工艺的芯片,也就是28纳米/14纳米/N+1工艺是互相抢光刻机来用的。可以这么说,中芯国际高端芯片的产量完全是被ASML NXT1980i DUV光刻机的数量决定了。

由于中国微电子的28纳米光刻机在2021年底只是推出工程样机,距离量产型光刻机还有一段相当长的路要走。对于中芯国际来说,也就变成无法指望的光刻机了。现在中芯国际能干的事情就是研究工艺,做好技术储备,将DUV光刻机的应用研究到极致,然后就是工艺等光刻机了,也就是一旦光刻机到位就立即能够投入量产。这就是中芯国际目前能做的唯一一件事了。但光刻机的特殊性,又使得研究出的工艺是不通用的,也就是说在ASML光刻机上研究出来的7纳米工艺,是无法照搬到国产光刻机上的。此时,如果用国产28纳米光刻机来生产7纳米芯片,就需要全部推倒重来地,从头再次研究如何用国产28纳米光刻机通过四重曝光生产7纳米芯片。




华为目前正在干的事涉及:微软,英特尔,高通,思科,特斯拉,苹果等一众企业,待芯片代工最后的短板补齐后,中国基本上能在信息领域和美国掰手腕了。[灵光一闪]




纸上PPT已经突破。




交给时间去安排就可以了!




还是很糟糕,越追差距越大。




来这里刺探消息了?

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投稿时间:2021-05-04  最后更新:2021-05-15

标签:光刻   样机   量产   新一代   微电子   中国   纳米   芯片   也就是   距离   工艺

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